Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. 2-е изд.
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
2-е издание, исправленное.
Автор(ы) | Г. Красников |
Издательство | Техносфера |
Серия | Мир электроники |
Год издания | 2011 |
ISBN | 978-5-94836-289-2 |
Кол-во страниц | 800 |
Формат страниц | 70x100/16 (170x240 мм) |
Язык | Русский |
Переплёт | Твердый |
Доп. сведения | Офсетная бумага |
Тираж | 1000 экз. |
Вес | 1215 г |