Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. В 2 частях. Часть 2. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования
Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем...
Характеристики
Автор(ы):
М. А. Королев, Т. Ю. Крупкина, М. Г. Путря, В. И. Шевяков
Издательство:
БИНОМ. Лаборатория знаний
Год издания:
2011
Кол-во страниц:
422
Переплёт:
Твердый
Смотреть все
Тэги
Получение информации о методах доставки
Избранное
Сравнение
Описание
Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах.
Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области.
Характеристики
Автор(ы) | М. А. Королев, Т. Ю. Крупкина, М. Г. Путря, В. И. Шевяков |
Издательство | БИНОМ. Лаборатория знаний |
Вид издания | Учебное пособие для вузов, Гриф УМО вузов России |
Серия | Электроника |
Год издания | 2011 |
ISBN | 978-5-94774-585-6 |
Кол-во страниц | 422 |
Формат страниц | 60x90/16 (145x215 мм) |
Язык | Русский |
Переплёт | Твердый |
Тираж | 1000 экз. |
Вес | 530 г |
Отзывы
Популярные товары
Изучаем Python, том 1, 5-е издание3 280 ₽Java. Полное руководство, 10-е издание4 430 ₽Анализ ценных бумаг. 3-е издание5 690 ₽
Смотреть всеПомощь
+7 928 117-10-37
Отдел продаж
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.